| 产品特性：SOI键合 | 加工定制：是 | 品牌：EVG SOI键合 |
| 型号：EVG SOI键合 | 用途：EVG 融合键合 | 订货号：EVG 融合键合 |
| 货号：EVG SOI键合 | 别名：EVG 融合键合 | 规格：EVG 融合键合 |
| 是否跨境货源：否 |
ONDSCALE? Automated Production Fusion Bonding System
BONDSCALE? 自动化生产熔合系统
启用3D集成以获得更多收益
技术数据
EVG BONDSCALE旨在满足广泛的融合/分子晶圆键合应用，包括工程化的基板制造和使用层转移处理的3D集成方法，例如单片3D（M3D）。借助BONDSCALE，EVG将晶片键合应用于前端半导体处理中，并帮助解决国际设备和系统路线图（IRDS）中确定的“更多摩尔”逻辑器件扩展的长期挑战。结合增强的边缘对齐技术，与现有的熔融粘合平台相比，BONDSCALE大大提高了晶圆粘合生产率，并降低了拥有成本（CoO）。
BONDSCALE与EVG的行业基准GEMINI FB XT自动融合系统一起出售，每个平台针对不同的应用。虽然BONDSCALE将主要专注于工程化的基板键合和层转移处理，但GEMINI FB XT将支持要求更高对准精度的应用，例如存储器堆叠，3D片上系统（SoC），背面照明的CMOS图像传感器堆叠以及管芯分区。
特征
在单个平台上的200 mm和300 mm基板上的全自动熔融/分子晶圆键合应用
通过等离子活化的直接晶圆键合，可实现不同材料，高质量工程衬底以及薄硅层转移应用的异质集成
支持逻辑缩放，3D集成（例如M3），3D VLSI（包括背面电源分配），N＆P堆栈，内存逻辑，集群功能堆栈以及超越CMOS的采用的层转移工艺和工程衬底
技术数据
晶圆直径（基板尺寸）200、300毫米；
数量或过程模块：8；
通量：每小时最多40个晶圆
处理系统4个装载口；
特征
多达八个预处理模块，例如清洁模块，LowTemp?等离子活化模块，对准验证模块和脱
胶模块
XT框架概念通过EFEM（设备前端模块）实现吞吐量
光学边缘对齐模块：Xmax / Ymax = 18 ?m 3σ
