| 产品特性：PECVD | 加工定制：是 | 品牌：德国SENTECH |
| 型号：SI 500D | 用途：等离子沉积 | 别名：SI 500D |
| 规格：SI 500D |
SENTECH ICP等离子沉积系统-SI 500D
SENTECH仪器（德国）有限公司是国际主流的半导体设备商，研发、制造和销售***的薄膜测量仪器（反射仪、椭偏仪、光谱椭偏仪）和等离子工艺设备（等离子刻蚀机、等离子沉积系统、用户定制系统）。
SI 500D等离子沉积系统是ICP-PECVD设备，利用ICP高密度等离子源来沉积电介质薄膜。可在极低温度下(<100?C)沉积高质量SiO2, Si3N4, 和SiOxNy薄膜。可以实现沉积薄膜厚度、折射率、应力的连续调节。
SI 500 D主要特点：
l 适用于8寸以及以下晶片
l 低温沉积高质量电介质膜：80°C~350°C
l 高速率沉积
l 低损伤
l 薄膜特性 (厚度、折射率、应力) 连续可调
l 平板三螺旋天线式PTSA等离子源 (Planar Triple Spiral Antenna)
l SENTECH***等离子设备操作软件
l 穿墙式安装方式
系统配置：
l 配置预真空锁（loadlock）， 带有取放机械手
l 基底温度从室温到350?C 可控
l PTSA ICP等离子源(13.56 MHz, 1200 W)
l 两路循环进气
l 6 MFC控制气路(SiH4, NH3, N2O, O2, Ar, CF4)
l 高速率真空泵系统，独立气流压强控制
l 绝缘电极，支持8" 基底或8" 托架(支持小晶圆,小片样品)
l 远程控制(RFC)
l Windos XP操作系统
