| 产品特性：溅射设备 | 加工定制：是 | 品牌：ULVAC爱发科 |
| 型号：QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄 | 用途：QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄 | 订货号：QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄 |
| 货号：QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄 | 别名：QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄 | 规格：QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄 |
| 是否跨境货源：否 |
ULVAC 研究开发用溅射设备 QAM系列
QAM 系列镀膜设备是一种用于研究开发的精密溅射镀膜机，可用于各种基板上的包括磁性材料薄膜、超晶格薄膜的溅射镀膜制程
主要特征
A.低压溅 工艺环境
l 能在较低压力下进行溅射成膜（持续放电压力 1~0.1Pa
B.应对磁性材料薄膜的制程
l 阴极可以安装各种磁场材料的靶材（Fe、Ni、Co 等）
C.多组分共成膜/多层成膜
l 多阴极同时对位基板中心，能够进行多组分共成膜
l 开闭可控的挡板设计实现多层膜的制备
D. 良好的膜厚均匀性/稳定沉积
l 倾斜入射的溅射过程，实现良好的膜厚均匀性
l 采用ULVAC-LTS※ 1专利技术，程度抑制阴极边缘不匀等
离子体对基板的影响，实现稳定沉积
注 ）※ 1：LTS：Long Throw Sputter
E. UHV 对应
l 通过增加选项标准部品，可实现腔体本底 高真空：1.0×10‐6Pa 以下真空压力。
F. 高拓展性
l 通过变更相应模块或部件适应性设计，来实现更多用途
低真空工艺环境
本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能 够在***压力下进行溅射成膜。
多组分共溅射/多层膜溅射
本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成 膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。
良好的膜厚分布
本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。
LTS的采用
本设备通过采用ULVAC的LTS ※ 1专利技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。
并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。 注）※ 1：LTS：Long Throw Sputter
对磁性材料薄膜的对应
本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。
操作界面前置
本设备通过将操作界面集中配置在设备前方，使得操作者能够仅在设备正面完 成设备的开启、关闭以及成膜等操作。***的功能、直观的的操作以及安全性的实现
Repeatability
能够确保再现性
本设备能够将成膜和加热的相关参数作为Recipe保存，从而通过自动运行来实现高再现性的实验。
Safety
能够在Interlock设置下安全操作
本设备能够通过设置Interlock来防止误操作，从而实现对设备的保护和对人身安全的确保。同时，本设备能够一并管理设备状态，还能够 任意设定靶材寿命等参数在某数值下报警。
Intuitive operation
直观的操作界面
本设备中排气和工艺的操作按钮以动作流程为基准而配置，从而能够直观地进行操作工艺。
Analysis
能够进行工艺数据分析
本设备能够每隔１秒将工艺进行时的压力、加热、成膜时间的当前值作为履历并按时间序列(Time Series)记录。收集的数据以文本格式保在外部存储器中，并且能够利用计算机对保存的数据进行分析和记录。
高拓展性
本设备能够通过模块的增设，来对应更多的用途。
低真空工艺环境
本设备具备约1Pa～0.1Pa的等离子体持续放电压力范围，与传统设备相比能够在***压力下进行溅射成膜。
多组分共溅射/多层膜溅射
本设备具有多阴极同时对准衬底中心的结构，从而能够进行多组分共溅射成膜。另外可以通过控制挡板开闭实现多层膜的制备。
良好的膜厚分布
本设备采用对衬底倾斜的入射方式，从而能够实现非常良好的膜厚分布。
采用LTS技术
本设备通过采用ULVAC的LTS※1专利技术，从而能够尽可能的抑制阴极附近的不均匀等离子体对衬底的影响。
并且，该技术还能够尽可能的抑制来自阴极磁铁磁场的影响。注）※1：LTS：Long Throw Sputter
UHV对应
本设备通过使用可加热式的各配置，使得成膜腔室的压力能够到达1×10-6Pa※2以下。
注）※2：本设备采用O-Ring Seal结构，与传统设备的金属Seal结构相比更加容易进行维护保养。
对磁性材料薄膜的对应
本设备中使用的阴极能够对应各种磁性材料（Fe、Ni、Co等）。
诸单元 | 型 号 | QAM-4D | |
成膜腔室 | 处理方式 | Load-L | ock式 |
阴极型式 | Long Throw Magnetron Sputtering ●Helicon-Sputtering※1 ※可选 | ||
阴极数 | 2英寸阴极（磁性材料、非磁性材料共用） zui多搭载8台 | ||
搭载电源 | DC500W 1台 ● DC500W、RF300W※2 zui多搭载8台 ※可选 | ||
到达压力（UHV对应） | 1×10-4Pa 以下 （●1×10-6Pa 以下能够对应※3 ※可选） | ||
对应衬底尺寸 | Max.φ4英寸×1枚 | ||
膜厚分布 | ±5％以内（Al成膜式、衬底回转并用） | ||
衬底加热装置 | ● 红外线灯式加热器 zui大500 ℃ ※可选 ● 高温型加热器 zui大800℃ ※可选 | ||
排气系统 | 1）分子泵 2）油旋片泵 ● 干式泵 ※可选 | ||
zui大气体输入量 | Max.50sccm（Ar） ●Max.10sccm（O2） ※可选 ● Max.10sccm（N2） ※可选 | ||
靶材尺寸 | φ2英寸 | ||
腔体加热方式 | ● 110℃烘烤 (包含腔体水冷却） ※可选 | ||
真空预抽室 | 到达压力（分子泵对应） | 40Pa以下（●1× | 10-3Pa 以下 ※可选） |
搬送方式 | 真空机械手式 | ||
排气系统 | 油旋片泵（ ● 分子泵 | 与成膜室共用） ※可选 | |
操作控制系统 | 排气 | 触屏式（PLC控制器） 远程手动※4 全自动※5 | |
成膜 | |||
厂务系统 | 电力 | 3φ AC200V 50 / 60Hz | |
冷却水 | 20～28℃、电阻率5KΩ以上、 供给压力0.2 ～ 0.3MPa | ||
压缩空气 | 0.5 ～ 0.7MPa | ||
接地 | A类、D类 | ||
