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EVG低温键合机EVG810LT 用于Si-Si直接键合和SOI键合的预键合系统 阳极键合
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EVG低温键合机EVG810LT 用于Si-Si直接键合和SOI键合的预键合系统 阳极键合

适用于硅片直接键合的低温活化,如SOI,应变硅,GeOI,化合物半导体和MEMS器件等应用。

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加工定制:否品牌:EVG型号:810LT
用途:广泛应用于MEMS制造、晶圆级***封装和SOI系统以及化合物半导体等方面。别名:键合机规格:111

EVG低温键合机EVG810LT 用于Si-Si直接键合和SOI键合的预键合系统 阳极键合详细介绍

EVG低温键合机EVG810LT


EVG公司是世界上的基片键合设备制造商,其键合工艺被认定为MEMS领域的标准工艺。EVG键合系统可实现阳极键合、热压键合、中间层粘着键合、 玻璃浆料键合、硅-硅直接键合、共晶键合及SOI键合等所有键合工艺。EVG键合设备型号齐全,从手动装片系统到全自动片盒送片多工艺室系统,可以满足不同客户的应用要求。无论手动/半自动装片系统, 键合工艺全部自动完成;而且,独特的基片夹具及键合室结构设计,可实现高精度的圆片键合;此外上/下极板为独立分别加热控制,加热温度可达650度。

EVG810LT是一款单腔室、半自动的设备,适用于硅片直接键合的低温活化,如SOI,应变硅,GeOI,化合物半导体和MEMS器件等应用。EVG810LT工艺腔室允许使用非原位工艺,即硅片可在腔室内分别片片激活,之后在激活腔室外硅片进行键合。


二、应用范围

EVG810LT是一款主要用于Si-Si直接键合和SOI键合的预键合系统, 广泛应用于MEMS制造、晶圆级***封装和SOI系统以及化合物半导体等方面。

目前,可以用于低温等离子键合的材料为:

- Si/Si, Si/SiO2, SiO2/SiO2

- TEOS/TEOS (热氧化)

- GeOI

- Si/Si3N4

- Si/玻璃,玻璃/玻璃

- GaAs, GaP, InP

-PMMA






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